SI1211主要特點(diǎn)：

● ±2%的 5V 輸出電壓

● 專利的電流控制方式，提升效率，提高帶載能力

● 寬輸入電壓范圍：80~305VAC

● 無(wú)需功率電感

● 無(wú)需輸入高壓電容

● 快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)

●  完整的輸出短路、過(guò)載及欠壓保護(hù)，內(nèi)置過(guò)熱保護(hù)

● 封裝類型 SOP-8

SI1211應(yīng)用電路：

SI1211 內(nèi)阻框圖：

SI1211功能描述：

啟動(dòng)：SI1211 采用專利的電流控制方式對(duì) VDD 電容充電，確保芯片在極短時(shí)間內(nèi)完成啟動(dòng)。芯片開(kāi)始正常工作后，在 AC 充電窗口內(nèi)控制內(nèi)部功率 MOSFET 開(kāi)啟/關(guān)斷，實(shí)現(xiàn)對(duì) VDD充電儲(chǔ)能。

AC 泄放電：芯片 Drain 端對(duì)地存在寄生電容，導(dǎo)致 Drain 端電壓可能過(guò)高，芯片因檢測(cè)不到 AC 充電窗口電壓而無(wú)法開(kāi)啟內(nèi)部功率 MOSFET。 因此 SI1211 內(nèi)部集成 AC 泄放電路確保每個(gè) AC 周期都能檢測(cè)到真實(shí)的 Drain 端電壓。該泄放電路具備專利的自適應(yīng) Drain 端電壓的功能，從而顯著降低芯片損耗，提高芯片帶載能力。該泄放電流也支持對(duì) VDD 的充電。當(dāng) VDD 處于 OVP 狀態(tài)時(shí)，該泄放電流可自主流向芯片地防止 VDD 過(guò)沖。

充電控制邏輯：得益于 AC 泄放電路，芯片可以檢測(cè)到真實(shí)的 Drain 端電壓從而確定 AC 充電窗口。當(dāng)芯片在 AC 充電窗口內(nèi)檢測(cè)到 VDD 電壓低于 VDD_ovp_hys 時(shí)開(kāi)啟內(nèi)部功率 MOSFET對(duì) VDD 進(jìn)行充電。當(dāng)檢測(cè)到 VDD 電壓高于 VDD_ovp 時(shí)關(guān)閉內(nèi)部功率 MOSFET。在 AC充電窗口以外，芯片保持內(nèi)部功率 MOSFET 關(guān)閉。

輸出電流限制：SI1211 集成有輸出電流限制電路。該電路檢測(cè) LDO 的輸出電流并直接限制 LDO 的最大電流能力。為避免短路或過(guò)載發(fā)生時(shí) LDO 輸出電流過(guò)大導(dǎo)致芯片損壞， 典型的輸出電流限制值設(shè)置為 80mA。當(dāng)發(fā)生短路或者過(guò)載時(shí)，該電路限制最大輸出電流，同時(shí)隨輸出電壓跌落觸發(fā)輸出欠壓保護(hù)。

過(guò)載保護(hù)(OLP)：隨負(fù)載加重輸出電壓降低，系統(tǒng)觸發(fā)輸出欠壓保護(hù)。

輸出欠壓保護(hù)(UVP)：當(dāng)輸出功率大于 SI1211 所能提供的最大功率時(shí)，輸出電壓隨之跌落。當(dāng)輸出電壓跌落值超過(guò)其額定電壓的 20%,觸發(fā)輸出欠壓保護(hù)，LDO 關(guān)閉并等待 640mS 后重啟。

VDD 過(guò)壓保護(hù)：在 AC 充電窗口內(nèi)，芯片檢測(cè)到 VDD 電壓高于 VDD_on 時(shí)，內(nèi)部邏輯關(guān)閉功率 MOSFET。當(dāng)芯片檢測(cè)到 VDD 電壓高于 VDD_ovp 時(shí)，內(nèi)部邏輯強(qiáng)力快速關(guān)閉功率 MOSFET。

內(nèi)置過(guò)溫保護(hù)(OTP)：當(dāng)芯片溫度超過(guò) 160℃,芯片觸發(fā)過(guò)溫保護(hù)，關(guān)閉內(nèi)部功率 MOSFET 和 LDO 輸出。當(dāng)芯片溫度低于 140℃,芯片進(jìn)入自恢復(fù)重啟過(guò)程。

自恢復(fù)重啟：在觸發(fā)各種保護(hù)(如過(guò)載保護(hù)和過(guò)溫保護(hù))時(shí)，芯片會(huì)進(jìn)入自恢復(fù)重啟過(guò)程，計(jì)時(shí) 640ms后，芯片內(nèi)部信號(hào)清零并重新啟動(dòng)。此時(shí)如果保護(hù)狀態(tài)依然存在，則芯片繼續(xù)重復(fù)上述自恢復(fù)重啟動(dòng)作。